메모리·장비 자립 속도…D램 3강 구도에 변수로 부상
최첨단 공정은 여전히 과제…HBM·AI 반도체 격차는 남아

중국이 메모리 반도체 기업의 초대형 상장과 국산 노광장비 개발을 앞세워 반도체 자립에 속도를 내고 있습니다. 미국의 수출 규제 속에서도 메모리와 반도체 장비 분야에서 성과를 내면서 중국의 '반도체 굴기'가 새로운 전환점을 맞고 있다는 평가가 나오고 있습니다.

중국 경제매체 제일재경에 따르면 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 전날 중국판 나스닥으로 불리는 상하이증권거래소 과창판에 상장한 첫날 시가총액 3조2천800억 위안, 우리 돈 약 712조 원을 기록하며 중국 본토 증시 시가총액 1위에 올랐습니다.

현지에서는 이번 상장이 중국 메모리 산업 성장의 이정표이자 글로벌 D램 시장의 기존 3강 체제를 흔들 수 있는 계기가 될 것으로 평가했습니다.

◇ 국가 주도 투자 결실…메모리 자립 가속

CXMT의 성공적인 증시 입성은 미국의 대중 반도체 수출 통제 속에서도 중국 정부가 추진해 온 반도체 육성 정책이 일정 부분 성과를 거두고 있다는 신호로 해석됩니다.

중국 정부는 반도체를 국가 전략산업으로 지정한 뒤 국가반도체산업투자기금, 이른바 '빅펀드'를 비롯한 정책금융과 지방정부 투자를 집중하며 기술 자립을 추진해 왔습니다.

2016년 설립된 CXMT는 미국 규제가 강화된 이후 생산능력을 확대하며 D램 시장에서 빠르게 점유율을 높였습니다.

지난해 글로벌 D램 시장 점유율은 7.7%를 기록했고, 일부 시장에서는 현재 10% 수준까지 확대된 것으로 추정하고 있습니다.

시장에서는 2028년에는 점유율이 18%까지 늘어날 수 있다는 전망도 나오고 있습니다.

CXMT는 이번 상장을 통해 최대 약 14조4천억 원의 자금을 확보해 생산라인 확대와 차세대 D램, 고대역폭메모리(HBM), 첨단 패키징 기술 개발에 투자할 계획입니다.

낸드플래시 기업 양쯔메모리(YMTC)도 대규모 기업공개를 추진하는 것으로 알려지면서 중국 메모리 산업의 투자 확대가 이어질 것으로 전망됩니다.

◇ DUV 국산화 진전…글로벌 반도체 시장 긴장

반도체 제조장비 분야에서도 변화가 감지되고 있습니다.

미국과 네덜란드의 수출 규제로 중국은 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못하고 있지만, 최근 중국 국영기업이 심자외선(DUV) 노광장비 생산에 들어갔다는 소식이 전해졌습니다.

이 같은 소식이 알려진 뒤 미국 증시에서는 반도체 관련 종목이 일제히 하락했고, 국내 증시도 반도체주 약세와 함께 장중 변동성이 확대됐습니다.

중국 기업들은 EUV 장비 없이 기존 DUV 장비를 반복 활용하는 방식으로 7나노급 반도체를 생산하는 등 기술 추격에도 속도를 내고 있습니다.

화웨이와 하이실리콘, 캠브리콘, 무어스레즈, 비런테크 등도 인공지능(AI) 반도체 개발을 확대하고 있습니다.

◇ HBM·첨단 공정은 여전히 높은 장벽

다만 전문가들은 중국의 기술력이 빠르게 향상되고는 있지만 최첨단 반도체 분야에서는 여전히 선두 기업과의 격차가 크다고 평가합니다.

범용 D램과 성숙 공정, 일부 제조장비 분야에서는 경쟁력이 높아졌지만 HBM과 EUV 기반 초미세 공정, 최첨단 AI 반도체 양산 능력에서는 아직 상당한 기술 차이가 남아 있다는 분석입니다.

특히 DUV 장비 역시 실제 상용 생산라인에서 안정성과 생산성, 정밀도가 충분히 검증되기까지는 시간이 필요하다는 전망이 우세합니다.

HBM은 미세공정뿐 아니라 고난도 적층 기술과 첨단 패키징, 고객사 인증 경험이 모두 필요한 분야여서 중국이 넘어야 할 가장 높은 기술 장벽으로 꼽힙니다.

AI 반도체 역시 화웨이가 자국 시장 공략을 확대하고 있지만 성능과 대규모 양산 경험에서는 엔비디아와의 격차가 여전히 존재한다는 평가입니다.

일부 전문가들은 중국이 첨단 산업 육성에는 성과를 내고 있지만 이것이 소비와 고용 확대 등 경제 전반의 성장으로 이어질지는 아직 불확실하다고 지적하고 있습니다.